НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ ЦЕНТР ФИЗИЧЕСКОГО ИНСТИТУТА ИМ. П.Н.ЛЕБЕДЕВА
  РАН И МИЭТ "КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И НАНОТЕХНОЛОГИИ"


 


Основные задачи:

  • разработка новых полупроводниковых приборов и интегральных схем на их основе;
     
  • подготовка специалистов по современной микро- и наноэлектронике.

Направления работ:

  • компьютерное моделирование кинетических процессов в квантовых приборах, являющихся элементной базой наноэлектроники гига- и терагерцового диапазонов (резонансно-туннельные структуры, полевые приборы на эффекте управляемой туннельной передислокации электронной плотности, приборы на основе акустического переноса заряда в квантоворазмерных структурах);
     
  • проектирование квантовых приборов и разработка  схемотехнических решений интегральных схем на их основе; проектирование интегральных схем на GaAs;
     
  • технология изготовления квантовых приборов на основе гетероструктур полупроводниковых соединений группы А3В5 и быстродействующих интегральных схем на GaAs.
     

 


103498, Москва, Зеленоград, МИЭТ  
тел: 532-9909, 532-8955,   тел/факс: 530-8665