|
|
|
В
Научно-образовательном центре разработаны:
• программно-аппаратный
комплекс для моделирования
и проектирования квантовых
приборов и интегральных
схем на базе сети рабочих
станций Sun Sparc Station;
•
схемотехнические принципы
построения базовых матричных
кристаллов на основе нормально
открытых полевых транзисторов
с затвором Шоттки;
•
технологические режимы
получения квантоворазмерных
гетероструктур методом молекулярно-лучевой
эпитаксии на установках
"Цна-18" и "Цна-25";
•
технологические маршруты
изготовления интегральных
схем на основе полупроводниковых
соединений группы А3В5;
маршруты реализованы на
технологической линейке
Научно-образовательного
центра, включающей установку
совмещения и экспонирования
MJB 3 UV 300 (Carl Suss)
для выполнения фотолитографии
с технологической нормой
до 0.35 мкм;
• технология формирования
несплавных омических контактов
в интегральных схемах на
основе GaAs;
• образцы монолитных интегральных
схем гигагерцового диапазона
(детекторы ионизирующих
излучений и частиц со схемами
первичной обработки сигнала,
малошумящие усилители и
цифровые устройства первичной
обработки сигналов входных
трактов телекоммуникационных
систем и ситсем связи пикосекундного
быстродействия (задержка
на вентиль не более 10 пс);
•
интегральные микросхемы
устройств выборки и хранения
(УВХ) мгновенных значений
аналогового сигнала многофункционального.
|
|
|
рис.
1 - уникальный технологический
маршрут на базе полевых гетероструктурных транзисторов
с затвором Шотки (GaAs/AlGaAs) с длинной канала
0,4-0,8 мкм крутизна gm=250-300 мс/мм. |
|
|
рис. 2 - аналоговые и цифровые схемы
на частоты свыше 100 Мгц.
Выполняются
на основе БМК «Море транзисторов». |
|
|
|
рис. 5 - цифровые ИС на GaAs ПТШ.
Программируемый
делитель частоты на 32, 64, 128. Мультиплексор 8:1.
Для применения в высокочастотных системах, устройствах
связи и передачи информации. |
